IXTA3N120, Транзистор силовой полевой TO-220, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 880 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канал 1200 В 3A (Tc) 200 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-263 (IXTA)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXTA3N120

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2099836

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-263AA

Вес, г

2.01

Mounting Type

Surface Mount

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Полярность транзистора

N Канал

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-263 (IXTA)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 1.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Transistor Mounting

Surface Mount

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

1.2кВ

Непрерывный Ток Стока

3А

Пороговое Напряжение Vgs

5В

Рассеиваемая Мощность

200Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

4.5Ом

California Prop 65

Warning Information

Техническая документация

Datasheet , pdf , 590 КБ
Datasheet , pdf , 176 КБ

IXTA3N120, Транзистор силовой полевой TO-220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 880 руб.

Техническая документация