MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,5А; 225мВт; SOT23, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы Дарлингтона\Транзисторы Дарлингтона PNP SMD

Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBTA63LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2099647

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

Base Product Number

MMBTA63 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

5000 @ 100mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

125MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

225mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100ВµA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

30V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-1.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Maximum Collector Base Voltage

-30 V

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1.01mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maximum Emitter Base Voltage

-10 V

Minimum DC Current Gain

5000

Максимальное напряжение коллектор-база

-30 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип транзистора

PNP

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.01мм

Высота

1.01мм

Длина

3.04мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Ширина

1.4мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

1.5@0.1mA@100mA

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-10 В

Число контактов

Maximum Collector Cut-off Current

-100nA

Maximum Continuous Collector Current

-500 mA

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

5000

Максимальный непрерывный ток коллектора

-500 мА

Максимальный запирающий ток коллектора

-100nA

Maximum Continuous DC Collector Current (A)

0.5

Maximum Collector Cut-Off Current (uA)

0.1

Typical Current Gain Bandwidth (MHz)

125(Min)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 149 КБ
Datasheet MMBTA63LT1G , pdf , 140 КБ

MMBTA63LT1G, Транзистор: PNP; биполярный; Дарлингтон; 30В; 0,5А; 225мВт; SOT23 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация