ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTK40P50P - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTK40P50P
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXTK40P50P
Последняя цена
3350 руб.
Сравнить
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
P-канал 500V 40A (Tc) 890W (Tc) сквозное отверстие TO-264 (IXTK)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2098839
Технические параметры
Series
PolarPв„ў ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
40A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
205nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
11500pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 20A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-264 (IXTK)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 125 КБ