ZVNL110A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,32А, 0,7Вт, TO92, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZVNL110A

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2098815

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.5

Тип корпуса

TO-92

Mounting Type

Through Hole

Ширина

2.41мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

4000

Серия

ZVNL110

Тип

FET

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

4.77мм

Высота

4.01мм

Размеры

4.77 x 2.41 x 4.01мм

Id - непрерывный ток утечки

320 mA

Pd - рассеивание мощности

700 mW

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-92-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Bulk

Package / Case

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-92-3

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Упаковка

Reel, Cut Tape

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

320 мА

Максимальное рассеяние мощности

700 мВт

Максимальное сопротивление сток-исток

4,5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

75 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

320mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

700mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Время нарастания

12 ns

Время спада

12 ns

Типичное время задержки выключения

15 нс

Типичное время задержки при включении

7 ns

Типичное время задержки включения

7 нс

Категория

Малый сигнал

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

320mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

700mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.5V @ 1mA

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 28 КБ
Datasheet , pdf , 28 КБ

ZVNL110A, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 0,32А, 0,7Вт, TO92 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация