IXFQ94N30P3, Транзистор N-MOSFET, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1260 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFQ94N30P3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2096687

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

5.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

15.8мм

Brand

IXYS

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

20.3mm

Maximum Drain Source Voltage

300 В

Конфигурация

Single

Channel Type

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-3P

Width

4.9мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IXFQ94N30

Торговая марка

IXYS

Id - непрерывный ток утечки

94 A

Vds - напряжение пробоя сток-исток

300 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-3P-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

36 mOhms

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

94 A

Maximum Power Dissipation

1.04 kW

Series

HiperFET, Polar3

Maximum Drain Source Resistance

36 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

102 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Коммерческое обозначение

HyperFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet , pdf , 195 КБ

IXFQ94N30P3, Транзистор N-MOSFET, 300В, 94А, 1040Вт, TO3P - характеристики, поставщики

Последняя цена 1260 руб.

Техническая документация