IPSA70R360P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 7,5А, 59,5Вт, IPAK SL, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPSA70R360P7SAKMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2096490

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1500

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

12.5 A

Pd - рассеивание мощности

59.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

700 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

PG-TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPSA70 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-40В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO251-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

300 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

16 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

517pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

59.5W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±16V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 150ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Qg - заряд затвора

16.4 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

18 ns

Типичное время задержки выключения

100 ns

Типичное время задержки при включении

19 ns

Другие названия товара №

IPSA70R360P7S SP001664832

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.4nC @ 400V

Техническая документация

Infineon-IPSA70R360P7S-DS-v02_01-EN-1731915 , pdf , 1031 КБ
Datasheet IPSA70R360P7SAKMA1 , pdf , 870 КБ
Datasheet IPSA70R360P7SAKMA1 , pdf , 871 КБ
Datasheet IPSA70R360P7SAKMA1 , pdf , 1031 КБ

IPSA70R360P7S, Транзистор N-MOSFET, полевой, 700В, 7,5А, 59,5Вт, IPAK SL - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация