ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXTP50N25T, Транзистор N-МОП, полевой, 250В 50A 400Вт 0,06Ом TO220AB - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXTP50N25T, Транзистор N-МОП, полевой, 250В 50A 400Вт 0,06Ом TO220AB
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
IXTP50N25T, Транзистор N-МОП, полевой, 250В 50A 400Вт 0,06Ом TO220AB
Последняя цена
740 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор 50 Amps 250V 50 Rds
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXTP50N25T
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2096463
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.8
Mounting Type
Through Hole
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Серия
IXTP50N25
Торговая марка
IXYS
Id - непрерывный ток утечки
50 A
Pd - рассеивание мощности
400 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
250 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss)
250V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
60 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Power Dissipation (Max)
400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 25A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Qg - заряд затвора
78 nC
Коммерческое обозначение
HiPerFET
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78nC @ 10V
California Prop 65
Warning Information
Техническая документация
IXTA50N25T , pdf
, 189 КБ
Datasheet IXTP50N25T , pdf
, 197 КБ
Datasheet , pdf
, 276 КБ