ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IGB50N65S5ATMA1, Транзистор IGBT, 650В, 63А, 135Вт, D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IGB50N65S5ATMA1, Транзистор IGBT, 650В, 63А, 135Вт, D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IGB50N65S5ATMA1, Транзистор IGBT, 650В, 63А, 135Вт, D2PAK
Последняя цена
750 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IGB50N65S5ATMA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2096321
Технические параметры
Вес, г
2
Техническая документация
Datasheet IGB50N65S5ATMA1 , pdf
, 1351 КБ
