ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD1802T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD1802T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
STD1802T4
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PTD IGBT & IPM
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2095634
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
4
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Package Type
DPAK
Maximum Power Dissipation
15 Вт
Width
6.2мм
Pin Count
3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Pd - рассеивание мощности
15000 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
2.4 mm
Длина
6.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Непрерывный коллекторный ток
3 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
STD1802
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-252-3
Ширина
6.2 mm
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
150 MHz
Технология
Si
Количество элементов на ИС
1
Техническая документация
Datasheet STD1802T4 , pdf
, 243 КБ
Datasheet STD1802T4 , pdf
, 230 КБ