ZXMN10A25GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 3,7А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN10A25GTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095362

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.7мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

3.7мм

Height

1.8мм

Maximum Drain Source Voltage

100 В

Конфигурация

Single Dual Drain

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Package Type

SOT-223

Pin Count

Configuration

Single Dual Drain

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Package Height

1.6

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

100

Maximum Power Dissipation (mW)

3900

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-223

Standard Package Name

SOT

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMN10A

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

6.7 mm

Высота

1.65 mm

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

3.9 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Максимальное сопротивление сток-исток

125 мΩ

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

125 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4 А

Typical Gate Charge @ Vgs

17 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Время нарастания

3.7 ns

Время спада

9.4 ns

Типичное время задержки выключения

18 ns

Типичное время задержки при включении

4.9 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.9A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Максимальное пороговое напряжение включения

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.9

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

125@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

17@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

859@50V

Typical Fall Time (ns)

9.4

Typical Rise Time (ns)

3.7

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

4.9

Tab

Техническая документация

Datasheet ZXMN10A25GTA , pdf , 625 КБ
Datasheet ZXMN10A25GTA , pdf , 622 КБ
Datasheet , pdf , 666 КБ

ZXMN10A25GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 3,7А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация