STP8NK80Z, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO220-3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 280 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP8NK80Z

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095138

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

1.94

Ширина

4.6 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP8NK80Z

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4 mm

Высота

9.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

6.2 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5.2 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

46 nC

Время нарастания

30 ns

Время спада

28 ns

Коммерческое обозначение

SuperMESH

Типичное время задержки выключения

48 ns

Типичное время задержки при включении

17 ns

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6.2A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

140W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.5V @ 100uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 416 КБ
Datasheet , pdf , 398 КБ

STP8NK80Z, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 3,9А, 140Вт, TO220-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 280 руб.

Техническая документация