IRFR224PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 2,4А, 42Вт, DPAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

N-канальный МОП-транзистор, от 200 до 250 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFR224PBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2095022

Технические параметры

Вес, г

1.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

6.22мм

Maximum Drain Source Voltage

250 В

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.22мм

Pin Count

Configuration

Single

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Package Length

6.73(Max)

Package Width

6.22(Max)

PCB changed

Package Height

2.39(Max)

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

250

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Automotive

Supplier Package

DPAK

Standard Package Name

TO-252

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

IRFR

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

6.73мм

Высота

2.39мм

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFR224 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-Pak

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

3.8 A

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1.1 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

260 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 2.3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

3,8 А

Maximum Power Dissipation

2,5 Вт

Maximum Drain Source Resistance

1,1 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

14 нКл при 10 В

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Enhancement

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки включения

7 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

14 nC @ 10 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.8

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1100@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

14(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

14(Max)

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

260@25V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Tab

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet , pdf , 343 КБ

IRFR224PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 250В, 2,4А, 42Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация