BUL128D-B, Транзистор силовой полевой TO-220, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN THT

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

BUL128D-B

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2094909

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

3.2

Base Product Number

BUL128 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

250ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

12 @ 2A, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power - Max

70W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 1A, 4A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

400V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Maximum Collector Emitter Voltage

400 В

Package Type

TO-220

Maximum Power Dissipation

70 Вт

Maximum DC Collector Current

4 А

Dimensions

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Maximum Emitter Base Voltage

9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

700 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

9.15 x 10.4 x 4.6мм

Pd - рассеивание мощности

70000 mW

Вид монтажа

Through Hole

Высота

9.15мм

Длина

10.4мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

700 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

400 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

9 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

BUL128D-B

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-220-3

Ширина

4.6мм

Технология

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

70 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

400 V

Максимальный пост. ток коллектора

4 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

9 В

Число контактов

Тип корпуса

TO-220

Техническая документация

Datasheet BUL128D-B , pdf , 225 КБ
Datasheet BUL128D-B , pdf , 226 КБ

BUL128D-B, Транзистор силовой полевой TO-220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация