FQP7N80C, Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4,2А; 167Вт; TO220, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

QFET® N-Channel MOSFET, от 6А до 10.9A, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), пускорегулирующие аппараты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь во включенном состоянии за счет снижения на- сопротивление (RDS (on)) и уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP7N80C

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2094070

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Brand

ON Semiconductor

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.7

Height

9.4мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

QFET

Тип

MOSFET

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Длина

10.1мм

Высота

9.4мм

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Id - непрерывный ток утечки

6.6 A

Pd - рассеивание мощности

167 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

5.5 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

FQP7 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

6,6 A

Максимальное рассеяние мощности

167 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

1.9 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

800 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1290 пФ при 25 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.9 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6.6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

167W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

6,6 А

Maximum Power Dissipation

167 Вт

Series

QFETВ® ->

Maximum Drain Source Resistance

1,9 Ω

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Время нарастания

100 ns

Время спада

60 ns

Коммерческое обозначение

QFET

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

35 ns

Типичное время задержки включения

35 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

27 nC @ 10 V

Другие названия товара №

FQP7N80C_NL

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet FQP7N80C , pdf , 1006 КБ

FQP7N80C, Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4,2А; 167Вт; TO220 - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.

Техническая документация