ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FMMTA92TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FMMTA92TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FMMTA92TA
Последняя цена
24 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23-3, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.2 А
High Voltage Transistors, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2094054
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.03
Base Product Number
FMMTA92 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
200mA
Current - Collector Cutoff (Max)
250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 30mA, 10V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
50MHz
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
330mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300V
Length
3.05мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
300 В
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
200mA
Minimum DC Current Gain
25
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Pd - Power Dissipation
330mW
Максимальное напряжение коллектор-база
300 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 3.05 x 1.4мм
Высота
1мм
Длина
3.05мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.4мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,5 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V
Максимальная рабочая частота
50 MHz
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0,9 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-0,9 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
25
Техническая документация
Datasheet FMMTA92TA , pdf
, 418 КБ