IPU80R1K4P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 32Вт, IPAK, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 180 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Мощный МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ P7
Семейство силовых МОП-транзисторов CoolMOS P7 на 800 В обеспечивает еще более высокий КПД и тепловые характеристики. Подходящие области применения: адаптеры питания, светодиодное освещение, аудио, промышленное и вспомогательное питание.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPU80R1K4P7AKMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2093569

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.73мм

Brand

Infineon

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

2.38 mm

Maximum Drain Source Voltage

800 В

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Package Type

IPAK (TO-251)

Width

2.41мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1500

Серия

CoolMOS P7

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

6.73 mm

Высота

7.59мм

Id - непрерывный ток утечки

4 A

Pd - рассеивание мощности

32 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

50 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPU80R1 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO251-3

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

4A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 500V

Power Dissipation (Max)

32W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 1.4A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 700ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

4 A

Maximum Power Dissipation

32 Вт

Series

CoolMOSв„ў ->

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 В, +30 В

Forward Diode Voltage

0.9V

Qg - заряд затвора

10 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Другие названия товара №

IPU80R1K4P7 SP001422742

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.05nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

FET Feature

Super Junction

Техническая документация

Datasheet IPU80R1K4P7AKMA1 , pdf , 1247 КБ
Datasheet IPU80R1K4P7AKMA1 , pdf , 1410 КБ

IPU80R1K4P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 32Вт, IPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 180 руб.

Техническая документация