STF24N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 12А, 30Вт, TO220FP, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF24N60M2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2092742

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel Power MOSFET

Вес, г

1.69

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.4mm

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.4mm

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220FP

Width

4.6mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

MDmesh M2

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Id - непрерывный ток утечки

18 A

Pd - рассеивание мощности

30 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF24 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Максимальный непрерывный ток стока

18 А

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

190 мΩ

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

190 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

18A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1060pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 9A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Power Dissipation

30 W

Series

MDmesh M2

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

29 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Qg - заряд затвора

29 nC

Время нарастания

9 ns

Время спада

15 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

60 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

29 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

18A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

30W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet STF24N60M2 , pdf , 1365 КБ
Datasheet STF24N60M2 , pdf , 495 КБ
Datasheet , pdf , 509 КБ

STF24N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 12А, 30Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация