IKW50N65WR5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 50А, 141Вт, TO247-3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 800 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

IGBT-транзисторы Infineon TrenchStop, 600 и 650 В
Линейка IGBT-транзисторов Infineon с номинальным напряжением коллектор-эмиттер 600 и 650 В с технологией TrenchStop ™. Ассортимент включает устройства со встроенным высокоскоростным антипараллельным диодом с быстрым восстановлением.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKW50N65WR5XKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2092698

Технические параметры

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Brand

Infineon

Base Product Number

IKW50N65 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

16.13mm

Maximum Collector Emitter Voltage

650 В

Maximum Continuous Collector Current

80 А

Energy Rating

1.06mJ

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

21.1mm

Pin Count

Switching Speed

60kHz

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Channel Type

Gate Capacitance

6140pF

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 А

Максимальное рассеяние мощности

282 W

Минимальная рабочая температура

40 C

Число контактов

Размеры

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Емкость затвора

6140пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

80A

Current - Collector Pulsed (Icm)

150A

Gate Charge

230nC

Power - Max

282W

Switching Energy

840ВµJ (on), 220ВµJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

45ns/417ns

Test Condition

400V, 25A, 16Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

650V

Тип канала

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Максимальная рабочая температура

+175 °C

IGBT Type

Trench

Ширина

5.21mm

Конфигурация

Single

Вес, г

6.51

Количество транзисторов

Number of Transistors

Pd - рассеивание мощности

282 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.4 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IKW50N65WR5 SP001215522

Серия

TRENCHSTOP 5 WR5

Технология

Series

TrenchStopв„ў ->

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IKW50N65WR5XKSA1 , pdf , 1914 КБ
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1 , pdf , 148 КБ
Datasheet IKW50N65WR5XKSA1 , pdf , 2051 КБ

IKW50N65WR5XKSA1, Транзистор IGBT, 650В, 50А, 141Вт, TO247-3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 800 руб.

Техническая документация