ZXMS6005DGTA, Транзистор N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2А, 1,3Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 270 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

IntelliFET Самозащищенные полевые МОП-транзисторы, Diodes Inc.
IntelliFET - это полевые МОП-транзисторы с самозащитой, которые объединяют полный набор схем защиты, которые защищают от электростатических разрядов, перегрузки по току, перенапряжения и т. д. и перегрев.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMS6005DGTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2092633

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+125 °C

Length

6.55mm

Brand

DiodesZetex

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

1.65mm

Maximum Drain Source Voltage

70 V

Dimensions

6.55 x 3.55 x 1.65mm

Конфигурация

Single Dual Drain

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+ 125 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

SOT-223

Width

3.55mm

Pin Count

3 + Tab

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

6.7(Max)

Package Width

3.7(Max)

PCB changed

Package Height

1.65(Max)

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Supplier Package

SOT-223

Standard Package Name

SOT

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMS600

Торговая марка

Diodes Incorporated

Id - непрерывный ток утечки

2 A

Pd - рассеивание мощности

3 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

40 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-40В°C ~ 125В°C (TA)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Количество каналов

1 Channel

Продукт

MOSFET Small Signal

Технология

Output Type

N-Channel

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

200 mOhms

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

2 A

Maximum Power Dissipation

3 W

Series

IntelliFET

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Typical Turn-On Delay Time

6000 ns

Typical Turn-Off Delay Time

34000 ns

Время нарастания

14 us

Время спада

19 us

Коммерческое обозначение

IntelliFET

Типичное время задержки выключения

34 us

Типичное время задержки при включении

6 us

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Tab

Current - Output (Max)

Fault Protection

Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over V

Features

Auto Restart

Input Type

Non-Inverting

Interface

On/Off

Number of Outputs

Output Configuration

Low Side

Ratio - Input:Output

1:1

Rds On (Typ)

150mOhm

Switch Type

General Purpose

Voltage - Load

60V (Max)

Voltage - Supply (Vcc/Vdd)

3.3V, 5V

Техническая документация

Datasheet ZXMS6005DGTA , pdf , 457 КБ
Datasheet ZXMS6005DGTA , pdf , 467 КБ
Datasheet ZXMS6005DGTA , pdf , 453 КБ

ZXMS6005DGTA, Транзистор N-MOSFET, IntelliFET™, полевой, 60В, 2А, 1,3Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 270 руб.

Техническая документация