SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

SIHD2N80AE-GE3

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2092245

Технические параметры

Вес, г

0.5

Length

6.73мм

Brand

Vishay

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

6.22мм

Height

2.25мм

Maximum Drain Source Voltage

800 В

Конфигурация

Single

Максимальное напряжение затвор-исток

±30 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Id - непрерывный ток утечки

2.9 A

Pd - рассеивание мощности

62.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-252-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

SIHD2 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D-PAK (TO-252)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

2,9 А

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.5 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.9Ohm @ 500mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Power Dissipation

62,5 Вт

Series

E ->

Maximum Drain Source Resistance

2.9 Ω

Typical Gate Charge @ Vgs

7 нКл при 10 В

Channel Mode

Поднятие

Qg - заряд затвора

7 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

23 ns

Типичное время задержки выключения

10 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Прямое напряжение диода

1.2V

Техническая документация

Datasheet SIHD2N80AE-GE3 , pdf , 137 КБ
Datasheet SIHD2N80AE-GE3 , pdf , 197 КБ
Datasheet SIHD2N80AE-GE3 , pdf , 136 КБ

SIHD2N80AE-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 1,8А; Idm: 3,6А; 62,5Вт; DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация