ZXMP7A17GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P SMD

МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMP7A17GTA

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2092097

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.16

Максимальный непрерывный ток стока

3,7 А

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Высота

1.8мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

250 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

70 В

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.6A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

70V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

635pF @ 40V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.1A, 10V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

3.7 A

Pd - рассеивание мощности

3.9 W

Qg - заряд затвора

18 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

160 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

70 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

3.4 ns

Время спада

8 ns

Длина

6.7мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single Dual Drain

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4.4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMP7A

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

27,9 нс

Типичное время задержки при включении

2.5 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-3

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

2,5 нс

Производитель

DiodesZetex

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

635 пФ при -40 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.6A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

160mО© @ 2.1A,10V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

70V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Dual Drain

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.6

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

160@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

3900

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-223

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

635@40V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

18@10V|9.6@5V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

3.4

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

27.9

Typical Turn-On Delay Time (ns)

2.5

Automotive

Military

Package Height

1.6

Package Length

6.5

Package Width

3.5

Tab

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

Datasheet , pdf , 313 КБ
Datasheet ZXMP7A17GTA , pdf , 311 КБ
Datasheet ZXMP7A17GTA , pdf , 308 КБ

ZXMP7A17GTA, Транзистор: P-MOSFET; полевой - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация