IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8А; Idm: 5,1А; 125Вт; TO220AB, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 290 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный МОП-транзистор, 500 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRF840LCPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2092083

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-220AB

Вес, г

Length

10.41mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Тип корпуса

TO-220AB

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.7

Height

9.01mm

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

4.7mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IRF

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Длина

10.41мм

Высота

9.01мм

Размеры

10.41 x 4.7 x 9.01мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N Канал

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRF840 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

8 A

Максимальное рассеяние мощности

125 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

850 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1100 pF @ 25 V

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

8 А

Maximum Power Dissipation

125 W

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

39 nC @ 10 V

Transistor Material

Кремний

Channel Mode

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Типичное время задержки выключения

27 нс

Типичное время задержки включения

12 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

39 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Transistor Mounting

Through Hole

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

500В

Непрерывный Ток Стока

8А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Рассеиваемая Мощность

125Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.85Ом

Техническая документация

IRF840LC , pdf , 275 КБ
Datasheet IRF840LCPBF , pdf , 269 КБ
Datasheet IRF840LCPBF , pdf , 272 КБ

IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 8А; Idm: 5,1А; 125Вт; TO220AB - характеристики, поставщики

Последняя цена 290 руб.

Техническая документация