STB11NK50ZT4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB11NK50ZT4

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2091618

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

9.35 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STB11NK50Z

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4 mm

Высота

4.6 mm

Id - непрерывный ток утечки

10 A

Pd - рассеивание мощности

125 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

77 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-263-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STB11 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

D2PAK

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

480 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V, + 30 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

10A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

125W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

520mOhm @ 4.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 100ВµA

Series

SuperMESHв„ў ->

Qg - заряд затвора

49 nC

Время нарастания

18 ns

Время спада

15 ns

Типичное время задержки выключения

41 ns

Типичное время задержки при включении

14.5 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 409 КБ
Datasheet STB11NK50ZT4 , pdf , 394 КБ

STB11NK50ZT4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация