IRFIZ34GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 14А, 42Вт, TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 60 до 90 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFIZ34GPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2091424

Технические параметры

Вес, г

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Vishay

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Число контактов

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Высота

9.8мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Base Product Number

IRFIZ34 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Производитель

Vishay

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

20 А

Максимальное рассеяние мощности

42 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

50 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

1200 пФ при 25 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

42W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 12A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Maximum Continuous Drain Current

20 А

Maximum Power Dissipation

42 Вт

Transistor Material

Кремний

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Типичное время задержки выключения

29 нс

Типичное время задержки включения

13 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

46 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IRFIZ34GPBF , pdf , 2986 КБ
Datasheet IRFIZ34GPBF , pdf , 1561 КБ

IRFIZ34GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 14А, 42Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация