IPA105N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 37А, 40,5Вт, Ugs ±20В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 760 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA105N15N3GXKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2090805

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.9

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.65mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Ширина

4.85mm

Height

16.15mm

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Число контактов

Dimensions

10.65 x 4.85 x 16.15mm

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220FP

Width

4.85mm

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

OptiMOS 3

Торговая марка

Infineon Technologies

Длина

10.65mm

Высота

16.15 mm

Id - непрерывный ток утечки

37 A

Pd - рассеивание мощности

40.5 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

150 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

33 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220FP-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA105 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220-FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

37 A

Максимальное рассеяние мощности

40.5 W

Максимальное сопротивление сток-исток

11.1 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

150 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

9.1 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

37A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 75V

Power Dissipation (Max)

40.5W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 37A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 160ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

37 A

Maximum Power Dissipation

40.5 W

Series

OptiMOS 3

Maximum Drain Source Resistance

11.1 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

41 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Turn-On Delay Time

17 ns

Typical Turn-Off Delay Time

35 ns

Техническая документация

Datasheet IPA105N15N3GXKSA1 , pdf , 549 КБ

IPA105N15N3GXKSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 37А, 40,5Вт, Ugs ±20В - характеристики, поставщики

Последняя цена 760 руб.

Техническая документация