SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2850 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD NEW MAT & PWR SOLUTION

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCT20N120AG

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2090011

Технические параметры

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Торговая марка

STMicroelectronics

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

SCT20 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

HiP247в„ў

Упаковка

Tube

Технология

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

20A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

153W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

239mOhm @ 10A, 20V

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+25V, -10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 20V

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet SCT20N120AG , pdf , 481 КБ
Datasheet SCT20N120AG , pdf , 471 КБ

SCT20N120AG, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 2850 руб.

Техническая документация