ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SCTWA20N120, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
SCTWA20N120, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
SCTWA20N120, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
2600 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
SCTWA20N120
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2089988
Технические параметры
Вес, г
2.5
Brand
STMicroelectronics
Тип корпуса
Hip247
Maximum Drain Source Voltage
1200 В
Число контактов
3
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
600
Серия
SCTWA20N120
Торговая марка
STMicroelectronics
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
SCTWA20 ->
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Package
Tube
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Максимальное сопротивление сток-исток
0,189 O
Материал транзистора
SiC
Номер канала
Опускание
Тип канала
N
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
20 А
Series
SCT
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
