STF35N65DM2, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1140 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF35N65DM2

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089927

Технические параметры

Вес, г

2.5

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STF35N65DM2

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

32 A

Pd - рассеивание мощности

40 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

110 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Канальный режим

Enhancement

Qg - заряд затвора

56.3 nC

Техническая документация

Datasheet STF35N65DM2 , pdf , 699 КБ
Datasheet STF35N65DM2 , pdf , 565 КБ

STF35N65DM2, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1140 руб.

Техническая документация