SCT10N120AG, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1670 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247в„ў

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

SCT10N120AG

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089925

Технические параметры

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Base Product Number

SCT10 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 200В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

HiP247в„ў

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V

Power Dissipation (Max)

150W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

690mOhm @ 6A, 20V

Technology

SiCFET (Silicon Carbide)

Vgs (Max)

+25V, -10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250ВµA

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 20V

Техническая документация

Datasheet SCT10N120AG , pdf , 419 КБ

SCT10N120AG, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1670 руб.

Техническая документация