STF16N90K5, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1160 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 900V 15A (Tc) 30W (Tc) сквозное отверстие TO-220FP

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF16N90K5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089914

Технические параметры

Вес, г

2.5

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Through Hole

Maximum Drain Source Voltage

900 В

Число контактов

Package Type

TO-220FP

Pin Count

Серия

SiC MOSFET

Base Product Number

STF16 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

0,33 O

Максимальное напряжение сток-исток

900 В

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

15A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1027pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

30W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

330mOhm @ 7.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Series

SiC MOSFET

Maximum Drain Source Resistance

0,33 O

Transistor Material

SiC

Channel Mode

Поднятие

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.7nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

Техническая документация

Datasheet STF16N90K5 , pdf , 442 КБ

STF16N90K5, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1160 руб.

Техническая документация