STF18N60M6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 490 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF18N60M6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089878

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220FP

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Height

16.4мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Width

4.6мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STx18

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

16.4мм

Id - непрерывный ток утечки

13 A

Pd - рассеивание мощности

25 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STF18 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

25 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

280 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

13A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

650pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

25W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

13 А

Maximum Power Dissipation

25 Вт

Series

MDmeshв„ў M6 ->

Maximum Drain Source Resistance

280 мΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

16,8 пФ при 10 В

Forward Diode Voltage

1.6V

Qg - заряд затвора

16.8 nC

Время нарастания

7 ns

Время спада

9 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

28 ns

Типичное время задержки при включении

16 ns

Минимальное пороговое напряжение включения

3.25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.8nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Прямое напряжение диода

1.6V

Техническая документация

Datasheet STF18N60M6 , pdf , 448 КБ
Datasheet STF18N60M6 , pdf , 436 КБ

STF18N60M6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 490 руб.

Техническая документация