ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF36N60M6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF36N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STF36N60M6, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
1190 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF36N60M6
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2089848
Технические параметры
Вес, г
2.5
Brand
STMicroelectronics
Число контактов
3
Package Type
TO-220FP
Количество элементов на ИС
1
Максимальное сопротивление сток-исток
0,085 O
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Тип канала
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Series
ST
Transistor Material
SiC
Channel Mode
Опускание
Максимальное пороговое напряжение включения
4.75V
Техническая документация
Datasheet STF36N60M6 , pdf
, 257 КБ