STD5NM60-1, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Ch 600 Volt 5 Amp

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD5NM60-1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089647

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.86

Mounting Type

Through Hole

Ширина

2.4 mm

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

STD5NM60

Тип

MOSFET

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

6.6 mm

Высота

6.2 mm

Id - непрерывный ток утечки

5 A

Pd - рассеивание мощности

96 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

2.4 S

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-251-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STD5NM60 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

I-PAK

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

30 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

96W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 2.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±30V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў ->

Время нарастания

10 ns

Время спада

10 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

23 ns

Типичное время задержки при включении

14 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

5A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

96W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

1О© @ 2.5A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 555 КБ

STD5NM60-1, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация