STF28NM50N, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 630 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

STF28NM50N - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор MDmesh ™ II, разработанный с использованием второго поколения технологии MDmesh ™. Устройство связывает вертикальную структуру с компоновкой полосы, что обеспечивает наименьшее сопротивление в открытом состоянии и заряд затвора. Он подходит для самых требовательных высокоэффективных преобразователей.

• 100% лавинные испытания
• Низкая входная емкость и заряд затвора
• Низкое входное сопротивление затвора

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF28NM50N

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089645

Технические параметры

Вес, г

2.5

Конфигурация транзистора

одинарный

Brand

stmicroelectronics

Тип корпуса

to-220fp

Mounting Type

Through Hole

Ширина

4.6мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 в, +25 в

Максимальная Рабочая Температура

+150 c

Серия

mdmesh

Base Product Number

STF28 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220FP

Тип монтажа

монтаж на плату в отверстия

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

21 а

Максимальное рассеяние мощности

35 вт

Максимальное сопротивление сток-исток

158 мω

Максимальное напряжение сток-исток

500 в

Материал транзистора

кремний

Номер канала

поднятие

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

21A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1735pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

35W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

158mOhm @ 10.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў II ->

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нкл при 10 в

Минимальное пороговое напряжение включения

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 961 КБ
Datasheet STF28NM50N , pdf , 963 КБ
Datasheet , pdf , 946 КБ

STF28NM50N, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 630 руб.

Техническая документация