BSC009NE2LSATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 100А, 96Вт, PG-TDSON-8, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 470 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Семейство силовых полевых МОП-транзисторов Infineon OptiMOS ™
Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC009NE2LSATMA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2089037

Технические параметры

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TDSON

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.1mm

Brand

Infineon

Mounting Type

Surface Mount

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.1mm

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Dimensions

6.1 x 5.35 x 1.1mm

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

TSDSON

Width

5.35mm

Pin Count

Полярность транзистора

N Канал

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Power Dissipation

96 W

Series

OptiMOS

Maximum Drain Source Resistance

900 μΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

72 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Forward Diode Voltage

Typical Turn-On Delay Time

10 ns

Typical Turn-Off Delay Time

48 ns

Техническая документация

Datasheet BSC009NE2LSATMA1 , pdf , 733 КБ

BSC009NE2LSATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 100А, 96Вт, PG-TDSON-8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 470 руб.

Техническая документация