IRFIBE30GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,4А, 35Вт, TO220FP, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 350 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор N-Chan 800V 2.1 Amp

Информация

Производитель

Vishay

Артикул

IRFIBE30GPBF

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2088260

Технические параметры

Вес, г

Brand

Vishay

Mounting Type

Through Hole

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

Серия

IRFIBE

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IRFIBE30 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220-3

Упаковка

Tube

Технология

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.1A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

35W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.3A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

78nC @ 10V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.1A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

35W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

3О© @ 1.3A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

IRFIBE30G , pdf , 1402 КБ
Datasheet IRFIBE30GPBF , pdf , 1397 КБ
Datasheet IRFIBE30GPBF , pdf , 1401 КБ
Datasheet , pdf , 1402 КБ
Datasheet IRFIBE30GPBF , pdf , 752 КБ

IRFIBE30GPBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 1,4А, 35Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 350 руб.

Техническая документация