PBHV8215Z.115, Транзистор: NPN; биполярный; 150В; 2А; 730мВт; SOT223, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 220 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

PBHV8215Z - это прорывной малосигнальный (BISS) транзистор NPN 2А в пластиковом корпусе средней мощности для поверхностного монтажа с увеличенным теплоотводом.

• Высокое напряжение
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat
• Высокая пропускная способность коллектора по току IC и ICM
• Высокое усиление по току коллектора (hFE) при высоком IC
• Аттестация AEC-Q101
• Дополнением к PNP является PBHV9215Z
• V8215Z Маркировочный код

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PBHV8215Z.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2087687

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.1

Base Product Number

PBHV8215 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 10V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

33MHz

HTSUS

8541.29.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power - Max

1.45W

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

280mV @ 400mA, 2A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

150V

Brand

Nexperia

Maximum DC Collector Current

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Pd - Power Dissipation

1.45W

Максимальное напряжение коллектор-база

350 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

1.45 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7 mm

Длина

6.7 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

4 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

350 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

150 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

2 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Ширина

3.7 mm

Другие названия товара №

934063479115

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

240

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

33 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1.45 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

150 В

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

3+Tab

Тип корпуса

SOT-223

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
BZX79 Datasheet , pdf , 532 КБ
Datasheet PBHV8215Z,115 , pdf , 273 КБ
Datasheet PBHV8215Z.115 , pdf , 265 КБ
Datasheet PBHV8215Z,115 , pdf , 156 КБ

PBHV8215Z.115, Транзистор: NPN; биполярный; 150В; 2А; 730мВт; SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 220 руб.

Техническая документация