STWA70N65DM6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1820 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

N-канал 650V 68A (Tc) 450W (Tc) сквозные отверстия TO-247, длинные выводы

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STWA70N65DM6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087498

Технические параметры

Вес, г

2.5

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Through Hole

Число контактов

Package Type

TO-247 длинный Лидс

Base Product Number

STWA70 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247 Long Leads

Максимальное сопротивление сток-исток

0,036 O

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Материал транзистора

SiC

Номер канала

Опускание

Тип канала

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

68A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

450W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 34A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

68 А

Series

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Техническая документация

Datasheet STWA70N65DM6 , pdf , 942 КБ

STWA70N65DM6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1820 руб.

Техническая документация