STP26N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 740 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP26N60DM6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087456

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-220

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.6мм

Height

15.75мм

Число контактов

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

±25 В

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

TO-220

Width

4.6мм

Pin Count

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Торговая марка

STMicroelectronics

Длина

10.4мм

Высота

15.75мм

Id - непрерывный ток утечки

18 A

Pd - рассеивание мощности

130 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Максимальное сопротивление сток-исток

195 м. Ω

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

195 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.25 V

Канальный режим

Enhancement

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Power Dissipation

110 Вт

Maximum Drain Source Resistance

195 м. Ω

Forward Diode Voltage

1.6V

Qg - заряд затвора

24 nC

Время нарастания

11 ns

Время спада

8 ns

Типичное время задержки выключения

39 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns

Типичный заряд затвора при Vgs

24 нКл при 10 В

Минимальное пороговое напряжение включения

3.25V

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Максимальное пороговое напряжение включения

4.75V

Прямое напряжение диода

1.6V

Техническая документация

Datasheet STP26N60DM6 , pdf , 470 КБ
Datasheet STP26N60DM6 , pdf , 261 КБ

STP26N60DM6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 740 руб.

Техническая документация