ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGD3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK,TO252AA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGD3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK,TO252AA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGD3245G2-F085, Транзистор: IGBT; 450В; 23А; 150Вт; DPAK,TO252AA
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT SMD
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK2-450V Ignition IGBT
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGD3245G2-F085
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2087431
Технические параметры
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Brand
ON Semiconductor
Package Type
DPAK
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Continuous Collector Current
23 А
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
6.22мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
450 (Breakdown) V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Высота
2.26мм
Число контактов
2 + Tab
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.26мм
Configuration
Одиночный
Вес, г
1
Вид монтажа:
SMD/SMT
Конфигурация:
Single
Максимальная рабочая температура:
+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:
10 V
Минимальная рабочая температура:
- 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:
450 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:
13 A
Подкатегория:
IGBTs
Производитель:
ON Semiconductor
Размер фабричной упаковки:
2500
Серия:
FGD3245G2_F085
Технология:
Si
Тип продукта:
IGBT Transistors
Торговая марка:
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок:
TO-252AA-3
Pd - рассеивание мощности:
150 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
1.64 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:
23 A
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Number of Elements per Chip
1
Резистор база-эмиттер
30кОм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Типичный входной резистор
120 Ω
Другие названия товара №:
FGD3245G2_F085
Квалификация:
AEC-Q101
Техническая документация
Datasheet FGD3245G2-F085 , pdf
, 1113 КБ
Datasheet FGD3245G2-F085 , pdf
, 857 КБ