ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW6N90K5, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW6N90K5, Транзистор: N-MOSFET
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
STW6N90K5, Транзистор: N-MOSFET
Последняя цена
530 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT
МОП-транзистор N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power МОП-транзистор in a TO-247 package
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STW6N90K5
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2087420
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.5
Mounting Type
Through Hole
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
600
Серия
STW6N90K5
Торговая марка
STMicroelectronics
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
110 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
900 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-247-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Base Product Number
STW6N90 ->
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-247-3
REACH Status
REACH Unaffected
Supplier Device Package
TO-247
Количество каналов
1 Channel
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
910 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Канальный режим
Enhancement
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100ВµA
Series
MDmeshв„ў K5 ->
Qg - заряд затвора
11 nC
Время нарастания
12.2 ns
Время спада
15.5 ns
Коммерческое обозначение
MDmesh
Типичное время задержки выключения
30.4 ns
Типичное время задержки при включении
12.4 ns
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 724 КБ
Datasheet STW6N90K5 , pdf
, 589 КБ