STWA68N60M6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1510 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STWA68N60M6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087399

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

STWA68N60M6

Торговая марка

STMicroelectronics

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STWA68 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-247 Long Leads

Количество каналов

1 Channel

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

41 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

63A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4360pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

390W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

41mOhm @ 31.5A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў M6 ->

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

106nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet STWA68N60M6 , pdf , 499 КБ
Datasheet , pdf , 1241 КБ

STWA68N60M6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1510 руб.

Техническая документация