STWA65N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1250 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STWA65N60DM6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087386

Технические параметры

Вес, г

2.5

Brand

STMicroelectronics

Тип корпуса

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Число контактов

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

600

Серия

DM6

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

38 A

Pd - рассеивание мощности

250 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-247-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STWA65 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-247 Long Leads

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Максимальное сопротивление сток-исток

0,06 O

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Материал транзистора

SiC

Номер канала

Опускание

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

71 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

38A (Tc)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

38 А

Series

Qg - заряд затвора

54 nC

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Техническая документация

Datasheet STWA65N60DM6 , pdf , 517 КБ
Datasheet STWA65N60DM6 , pdf , 341 КБ
Datasheet , pdf , 332 КБ

STWA65N60DM6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1250 руб.

Техническая документация