STP45N60DM6, Транзистор: N-MOSFET, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1050 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP45N60DM6

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2087349

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

2.5

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

STP45N60DM6

Торговая марка

STMicroelectronics

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

210 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

STP45 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

REACH Status

REACH Unaffected

Supplier Device Package

TO-220

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

99 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

25 V, + 25 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.25 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 100V

Power Dissipation (Max)

210W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±25V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.75V @ 250ВµA

Series

MDmeshв„ў DM6 ->

Qg - заряд затвора

44 nC

Время нарастания

5.3 ns

Время спада

7.3 ns

Коммерческое обозначение

MDmesh

Типичное время задержки выключения

50 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 232 КБ
Datasheet , pdf , 818 КБ
Datasheet , pdf , 311 КБ
Datasheet , pdf , 324 КБ

STP45N60DM6, Транзистор: N-MOSFET - характеристики, поставщики

Последняя цена 1050 руб.

Техническая документация