ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MUN5235T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MUN5235T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MUN5235T1G, Транзистор NPN, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 310мВт, SOT323
Последняя цена
21 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MUN5235T1G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2086694
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
1
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V dc
Package Type
SC-70
Maximum Power Dissipation
310 мВт
Width
1.35мм
Height
0.9мм
Pin Count
3
Dimensions
2.2 x 1.35 x 0.9мм
Minimum DC Current Gain
80@5mA@10V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 0.9мм
Pd - рассеивание мощности
202 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.85 mm
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
80
Конфигурация
Одиночный
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DTC123J
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-70-3
Ширина
1.24 mm
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
80
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Configuration
Single
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
50
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@1mA@10mA
Maximum Power Dissipation (mW)
310
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT-323
Supplier Package
SC-70
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.85
Package Length
2.1
Package Width
1.24
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V dc
Число контактов
3
Maximum Continuous Collector Current
100 мА
Base-Emitter Resistor
47кОм
Automotive Standard
AEC-Q101
Typical Input Resistor
2,2 кΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
0.047
Typical Resistor Ratio
0.047
Типичный коэффициент резистора
0,047
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)
100
Typical Input Resistor (kOhm)
2.2
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 105 КБ
Datasheet , pdf
, 111 КБ