IPA65R280E6XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 13,8А, 32Вт, PG-TO220-3-FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 500 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Силовые МОП-транзисторы серии Infineon CoolMOS ™ E6 / P6
Серия Infineon МОП-транзисторов серии CoolMOS ™ E6 и P6. Эти высокоэффективные устройства могут использоваться в нескольких приложениях, включая коррекцию коэффициента мощности (PFC), осветительные и потребительские устройства, а также солнечные батареи, телекоммуникации и серверы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA65R280E6XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2086047

Технические параметры

Вес, г

3.2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.65mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Mounting Type

Through Hole

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

16.15mm

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Transistor Configuration

Single

Package Type

TO-220FP

Width

4.85mm

Pin Count

Высота

16.15мм

Максимальный непрерывный ток стока

13,8 А

Максимальное рассеяние мощности

32 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Максимальное сопротивление сток-исток

280 мΩ

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

13.8 A

Maximum Power Dissipation

32 W

Series

CoolMOS E6

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

IPA65R280E6XKSA1, Транзистор МОП n-канальный, 650В, 13,8А, 32Вт, PG-TO220-3-FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 500 руб.