ZXMN6A08GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 2,8А, 2Вт, SOT223, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

МОП-транзистор 60V 3.8A N-Channel МОП-транзистор

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

ZXMN6A08GTA

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2085621

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

0.31

Тип корпуса

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Число контактов

3+Tab

Конфигурация

Single

Channel Type

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Pin Count

Configuration

Single Dual Drain

EU RoHS

Compliant with Exemption

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

Lead Shape

Gull-wing

Package Length

6.5

Package Width

3.5

PCB changed

Package Height

1.6

Mounting

Surface Mount

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Power Dissipation (mW)

3900

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Supplier Package

SOT-223

Standard Package Name

SOT

Military

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMN6A

Торговая марка

Diodes Incorporated

Длина

6.7мм

Высота

1.8мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Id - непрерывный ток утечки

5.3 A

Pd - рассеивание мощности

3.9 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

6.6 S

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

SOT-223-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Производитель

DiodesZetex

Тип монтажа

Surface Mount

Количество каналов

1 Channel

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

5.3 A

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

0,15 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Материал транзистора

Кремний

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

459 пФ при 40 В

Тип канала

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

80 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

459pF @ 40V

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.8A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250ВµA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Qg - заряд затвора

5.8 nC

Время нарастания

2.1 ns

Время спада

4.6 ns

Типичное время задержки выключения

12,3 нс

Типичное время задержки при включении

2.6 ns

Типичное время задержки включения

2,6 нс

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

5,8 нКл при 10 В

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V

Product Category

Power MOSFET

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Continuous Drain Current (A)

3.8

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

80@10V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

5.8@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

5.8

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

459@40V

Typical Fall Time (ns)

4.6

Typical Rise Time (ns)

2.1

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

12.3

Typical Turn-On Delay Time (ns)

2.6

Tab

Техническая документация

Datasheet ZXMN6A08GTA , pdf , 464 КБ
Datasheet ZXMN6A08GTA , pdf , 466 КБ
Datasheet ZXMN6A08GTA , pdf , 463 КБ

ZXMN6A08GTA, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 2,8А, 2Вт, SOT223 - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация