STD18N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 9,4А, 110Вт, DPAK, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 480 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Серия MDmesh ™ M5 с N-каналом, STMicroelectronics
Силовые полевые МОП-транзисторы MDmesh M5 оптимизированы для мощных топологий PFC и PWM. Основные характеристики включают низкие потери в открытом состоянии на площадь кремния в сочетании с низким зарядом затвора. Они разработаны для энергосберегающих, компактных и надежных устройств с аппаратным переключением, таких как преобразователи солнечной энергии, источники питания для потребительских товаров и электронные системы управления освещением.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD18N65M5

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2084479

Технические параметры

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Вес, г

1.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.6mm

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Surface Mount

Height

2.4mm

Maximum Drain Source Voltage

710 V

Channel Type

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Transistor Configuration

Single

Package Type

DPAK (TO-252)

Width

6.2mm

Pin Count

Полярность транзистора

N Канал

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Power Dissipation

110 W

Series

MDmesh M5

Maximum Drain Source Resistance

220 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

31 nC @ 10 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

15A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

110W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

650V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Maximum Gate Threshold Voltage

Transistor Mounting

Surface Mount

Линейка Продукции

MDmesh M5 Series

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Напряжение Истока-стока Vds

650В

Непрерывный Ток Стока

15А

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Рассеиваемая Мощность

110Вт

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.198Ом

Техническая документация

Datasheet , pdf , 826 КБ

STD18N65M5, Транзистор N-МОП, полевой, 650В, 9,4А, 110Вт, DPAK - характеристики, поставщики

Последняя цена 480 руб.

Техническая документация