IPA80R900P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 4,6А, 27Вт, TO220FP, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 230 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT

Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 770 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPA80R900P7XKSA1

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

2083944

Технические параметры

Тип Транзистора

1 N-Channel

Вес, г

Mounting Type

Through Hole

Конфигурация

Single

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Категория продукта

МОП-транзистор

Размер фабричной упаковки

500

Серия

CoolMOS P7

Торговая марка

Infineon Technologies

Id - непрерывный ток утечки

6 A

Pd - рассеивание мощности

26 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

800 V

Вид монтажа

Through Hole

Минимальная рабочая температура

55 C

Полярность транзистора

N-Channel

Упаковка / блок

TO-220-3

Подкатегория

MOSFETs

Тип продукта

MOSFET

Base Product Number

IPA80R900 ->

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO220 Full Pack

Количество каналов

1 Channel

Упаковка

Tube

Технология

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

770 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.5 V

Канальный режим

Enhancement

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 500V

Power Dissipation (Max)

26W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 2.2A, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 110ВµA

Series

CoolMOSв„ў P7 ->

Qg - заряд затвора

15 nC

Время нарастания

8 ns

Время спада

20 ns

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

12 ns

Другие названия товара №

IPA80R900P7 SP001633482

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet IPA80R900P7XKSA1 , pdf , 1154 КБ
Datasheet IPA80R900P7XKSA1 , pdf , 1087 КБ
Datasheet IPA80R900P7XKSA1 , pdf , 1188 КБ

IPA80R900P7, Транзистор N-MOSFET, полевой, 800В, 4,6А, 27Вт, TO220FP - характеристики, поставщики

Последняя цена 230 руб.

Техническая документация