ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
WMO10N80M3-CYG, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Wayon
WMO10N80M3-CYG, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
WMO10N80M3-CYG, Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET M3; полевой; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Последняя цена
180 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Wayon
Артикул
WMO10N80M3
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2083706
Технические параметры
Вес, г
1.04
